20.08.2007 | Autor / Redakteur: Dirk Srocke / Martin Hensel
Magnetoresistive Speicherchips sind nichtflüchtig und preisgünstig. Speicher, die mit diesem Effekt arbeiten, ermüden nicht, sind energieeffizient wie DRAM und dabei so schnell wie SRAM. IBM und TDK wollen der vielversprechenden Technologie zum Durchbruch verhelfen und gemeinsam MRAMs mit hohen Speicherdichten entwickeln. Diese sollen einzeln oder in Prozessoren verbaut werden.
Den vielen Vorteilen des Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) steht ein gewaltiger Nachteil gegenüber: Derzeit können die Speicher noch nicht mit hohen Speicherdichten gefertigt werden. Das wollen IBM und TDK ändern. Die Hersteller kündigen an, gemeinsam Forschung und Entwicklung in Sachen MRAM voranzutreiben.
Die Unternehmen wollen dabei den sogenannten „Spin Momentum Transfer Effekt“ ausnutzen. Die Partner sind zuversichtlich, über diesen Ansatz mehr Daten auf gleicher Fläche speichern zu können.
Beide Unternehmen bringen umfangreiche Erfahrungen und Patente in Sachen magnetischer Datenspeicherung ein. „Die gemeinsame Zusammenarbeit bekräftigt IBMs Einsatz beim Erforschen neuer Phänomene für Speicheranwendungen“, sagt Dr. T.C Chen, Vice President Science and Technology bei IBM Research.
IBM kann bereits auf Forschungen zum Thema „Magnetic Tunnel Junction“ (MTJ) verweisen. Dabei handelt es sich um eine magnetische Grenzschicht in Halbleitern, welche sich zur Datenspeicherung eignet. Zudem hat das Unternehmen bereits einige Erfahrungen über den „Spin Momentum Transfer Effekt“ gemacht. TDK sieht sich hingegen als führender Hersteller, der die MTJ-Technologie in Schreib-/Leseköpfen von Festplatten anwendet.
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